Новини

22:13
Протесты в Беларуси: новые кадры народного бунта
22:11
Які банки виграють, а які - програють, якщо Яценюк очолить НБУ
21:05
Жена Виталия Кличко планирует первый сольный концерт в День Киева
20:57
"Собеседование уже прошла". Савченко пророчат в главы ДНР
20:04
Бутсой в живот, коленом в позвоночник: зверский фол футболиста привел к массовой драке
20:02
Представлен "вертолет-малютка", который станет грозой танков
19:41
Forbes рассказал о четырех признаках краха России
19:35
Андрей Довбенко и Даша Заривная отмыли миллионы через оффшор Андреас Неоклеус энд Ко
19:13
Сеть рассмешило "грандиозное" празднование Масленицы в России
18:47
Страны-основательницы ЕС предлагают создать федерацию
18:29
Главарь ДНР Захарченко признался, что расстреливает жилые дома
18:13
Президент Зимбабве отметил 93-летие за два миллиона евро
18:09
В Польше в ДТП погибла журналистка газеты "Сегодня"
16:00
В Украине начали борьбу со страшной игрой «Синий кит»
15:00
Леонид Кравчук назвал главную цель Путина
14:18
Украинцам разрешат создавать и закрывать ФЛП онлайн за 24 часа
14:07
Новый советник Трампа по нацбезопасности считает РФ врагом - СМИ
13:48
В Киеве обнаружили тайную схему, раздувающую платежки за тепло
13:41
Шокирующие кадры: канатоходец сорвался с огромной высоты
13:23
Расшифровано предсказание Нострадамуса на 2017 год
12:13
"Бабы еще нарожают"? Украинцам объяснили, зачем нужно беречь военных
11:29
Слідчий експеримент у Княжичах викрив жахливі подробиці
11:05
СМИ США: Чуркин умер от отравления: американские врачи подтвердили наличие яда в почках постпреда России в ООН
10:39
Жуткое падение лыжника на скорости 100 км/ч (видео)
10:24
Интересные факты об ОС Android которых вы не знали
09:58
Массовая драка футбольных фанатов в Берлине (видео)
09:48
В обанкротившихся банках украинцы потеряли 273 миллиарда гривен
09:36
Террористы выдвинули танк под Донецком: в ВСУ есть раненые и травмированные
09:23
Skoda собирается выпускать в Украине свой знаменитый кроссовер
09:20
Блокада Донбасса расширилась еще больше
09:19
Вся правда про Надежду Савченко
09:12
Солистка "ВИА Гры" показала фигуру в нижнем белье
09:03
Львовский мусор нелегально мигрировал в Полтавскую область
08:47
Мужчина установил рекорд, разбив кулаком 124 кокоса за минуту
08:42
Светлана Лобода в кожаном пальто произвела фурор
08:16
Скандал с 27-летней замминистра Насалика: в Раде произошла перепалка
08:13
Как выглядит сестра Ирины Шейк: вы будете поражены
08:08
У большинства украинцев не остается свободных средств после покупки необходимого
Більше новин

Технологии будущего: транзисторы из индий-галлий-арсенида

0

Ученые из Массачусетского технологического института (MIT) могут внести несколько поправок в закон Мура с выходом 22-нм транзистора из индий-галлий-арсенида.

Технологии будущего: транзисторы из индий-галлий-арсенида

Транзисторы данного типа могут предоставить больше затворов, необходимых устройствам для того, чтобы переключаться между одним из двух состояний (вкл. и выкл.), по сравнению с кремниевыми транзисторами, которые на данный момент используются в процессорах. Длина затворов в существующих на данный момент кремниевых трехмерных транзисторах составляет 22 нм. Ученые уже разрабатывают конструкции, которые позволят использовать более короткие затворы (14-нм техпроцесс). Предел в 10-нм, по оценкам различных экспертов, будет достигнут к 2018 году. После этого возможности кремния будут исчерпаны (больше его дробить невозможно) и придется искать новый материал для транзисторов.

«Мы показали, что транзисторы MOSFET из индий-галлий-арсенида при уменьшении размеров не теряют свои основные характеристики. С их помощью удастся достичь новых вершин в индустрии нанотехнологий и компьютерной техники, которые были недосягаемыми для кремниевых решений, упирающихся в принципы закона Мура», - заявил руководитель проекта Хесус дель Аламо (Jesús del Alamo).

В будущем перспективная технология поспособствует увеличению количества транзисторов в одном чипе и уменьшения размера кристалла, что обеспечит большой рывок в производительности.

В ближайшее время ученые сосредоточатся на совершенствовании характеристик транзисторов и освоение 10-нм норм их производства.


Загрузка...